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發布時間:2022-03-18作者來源:薩科微瀏覽:2366
土豪登場-IGBT5
“土豪金” 芯片
特征:
溝槽柵+場截止+表面覆蓋銅
IGBT5是所有IGBT系列里最土豪的產品,別的芯片表面金屬化都用的鋁,而IGBT使用厚銅代替了鋁,銅的通流能力及熱容都遠遠優于鋁,因此IGBT5允許更高的工作結溫及輸出電流。同時芯片結構經過優化,芯片厚度進一步減小。
技能:
175℃工作結溫,1.5V飽和電壓,
輸出電流能力提升30%
因為IGBT5表面覆銅,并且在模塊封裝中采用了先進的.XT封裝工藝,因此工作結溫可以達到175℃。芯片厚度相對于IGBT4進一步減薄,使得飽和壓降更低,輸出電流能力提升30%。
名號:
E5,P5
目前IGBT5的芯片只封裝在PrimePACK?里,電壓也只有1200V,1700V,代表產品FF1200R12IE5,FF1800R12IP5。
真假李逵-TRENCHSTOP?5
在單管界,有一類產品叫TRENCHSTOP?5。經常聽到有人問H5、F5、S5、L5是不是IGBT5?嚴格意義來講并不是,雖然名字里都帶5,但是H5、F5、S5這些單管的5系列,屬于另外一個家族叫TRENCHSTOP?5。這個家族沒有“黃金甲”加持,基因也和IGBT5不一樣。
特征:
精細化溝槽柵+場截止
雖然都叫溝槽柵,但TRENCHSTOP?5長得還是和前輩們大相徑庭。它的溝道更密,電流密度更高。在達到[敏感詞]操作性能同時,并不具備短路能力。
技能:
175℃[敏感詞]工作結溫,高開關頻率,
無短路能力
性能和短路,永遠是一對矛盾體。為了追求卓越的性能,TRENCHSTOP?5犧牲掉了短路時間。TRENCHSTOP?5可以根據應用目的不同,取得極低的導通損耗,或者極高的開關頻率,開關頻率[敏感詞]可達70~100kHz,而導通壓降[敏感詞]可低至1.05V。
名號:
H5,F5,S5,L5
TRENCHSTOP?5目前只有650V的器件,并且都是分立器件。這一系列產品針對不同的應用進行了通態損耗和開關損耗的優化。其中H5/F5適合高頻應用,L5導通損耗[敏感詞]。TRENCHSTOP?5各個產品在折衷曲線上的位置如下圖所示。
后起之秀-IGBT6
6掌門雖然和4掌門之間隔了個5,但6其實是4的優化版本,依然是溝槽柵+場截止。IGBT6目前只在單管中有應用。
特征:
溝槽柵+場截止
器件結構和IGBT4類似,但是優化了背面P+注入,從而得到了新的折衷曲線。
技能:
175℃[敏感詞]工作結溫,Rg可控,3us短路
IGBT6目前發布的有2個系列的產品,S6導通損耗低,Vce(sat) 1.85V; H6開關損耗低,相比于H3,開關損耗降低15%。
名號:
S6, H6
IGBT6只有單管封裝的產品,例如:IKW15N12BH6,IKW40N120CS6,封裝有TO-247 3pin,TO-247 plus 3pin,TO-247 plus 4pin。
萬眾矚目-IGBT7
IGBT經數代,厚積薄發,2018年終于迎來了萬眾矚目的IGBT7。
特征:
微溝槽柵+場截止
雖然都是溝槽柵,但多了一個微字,整個結構就大不一樣了。IGBT7溝道密度更高,元胞間距也經過精心設計,并且優化了寄生電容參數,從而實現5kv/us下的[敏感詞]開關性能。
更多IGBT7信息,請參考:1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升變頻器系統性能。
技能:
175℃過載結溫,dv/dt可控
IGBT7 Vce(sat)相比IGBT4降低20%,可實現[敏感詞]175℃的暫態工作結溫。
名號:
T7,E7
代表產品有:FP25R12W1T7。T7專為電機驅動器優化,可以實現5kv/us下[敏感詞]性能。E7應用更廣泛,電動商用車主驅,光伏逆變器等。
一張表看懂
IGBT的前世今生
”
有道是,
江山代有才人出,各領風騷沒兩年。
7已經羽翼漸豐,獨擋一面,
8還會遠嗎?
讓我們拭目以待吧!
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