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0755-83044319
類型:P溝道
漏源電壓(Vdss):-20V
連續(xù)漏極電流(Id):-2.4A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):44mΩ@-4.5V,-2.4A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):-1V@-250μA
產(chǎn)品介紹:FDN302P 低壓N溝道MOS管
一、產(chǎn)品概述
薩科微slkor低壓MOS管FDN302P是一款獨(dú)特的低壓P溝道MOSFET,專為需要在負(fù)電壓環(huán)境下工作的電路而設(shè)計(jì)。其獨(dú)特的電氣特性,包括負(fù)值的漏源電壓和連續(xù)漏極電流,使其在眾多需要反向電壓控制的電子設(shè)備中脫穎而出。FDN302P以其高效能、穩(wěn)定性和可靠性,為系統(tǒng)設(shè)計(jì)者提供了前所未有的靈活性和創(chuàng)新性解決方案。
二、產(chǎn)品特性
負(fù)電壓操作:漏源電壓(Vdss)為-20V,表明該MOSFET能在負(fù)電壓環(huán)境下正常工作,適用于需要反向電壓控制的特殊應(yīng)用。
高反向電流能力:連續(xù)漏極電流(Id)達(dá)到-2.4A,表明FDN302P能夠處理較大的反向電流,滿足高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。
低導(dǎo)通電阻:在-4.5V的柵極電壓(Vgs)和-2.4A的漏極電流(Id)條件下,導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅為44mΩ,有效降低了導(dǎo)通時(shí)的能量損耗,提高了系統(tǒng)效率。
低閾值電壓:閾值電壓(Vgs(th)@Id)為-1V@-250μA,意味著在較低的負(fù)柵極電壓下即可開啟MOSFET,適用于低功耗和快速響應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景。
三、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
創(chuàng)新設(shè)計(jì):作為少數(shù)能夠在負(fù)電壓下穩(wěn)定工作的N溝道MOSFET之一,F(xiàn)DN302P為特殊應(yīng)用提供了獨(dú)特的解決方案。
高效能:低導(dǎo)通電阻減少了能量損失,提高了系統(tǒng)能效。
快速響應(yīng):低閾值電壓確保了MOSFET的快速開啟和關(guān)閉,提高了系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能。
高可靠性:經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測(cè)試,F(xiàn)DN302P展現(xiàn)出卓越的穩(wěn)定性和耐久性。
四、應(yīng)用領(lǐng)域
FDN302P廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
特殊電源管理:在需要負(fù)電壓輸出的電源管理系統(tǒng)中,如某些類型的逆變器、負(fù)電壓供電的電路等。
反向電流控制:在需要精確控制反向電流的電路中,如特定類型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)、反向電流保護(hù)電路等。
科研與實(shí)驗(yàn):在電子學(xué)、材料科學(xué)等領(lǐng)域的科研實(shí)驗(yàn)中,用于模擬或測(cè)試負(fù)電壓環(huán)境下的電路行為。
特殊工業(yè)控制:在需要反向電壓控制的工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,如特定類型的傳感器、執(zhí)行器等。
五、注意事項(xiàng)
電壓極性:請(qǐng)確保在使用時(shí)遵循正確的電壓極性,避免將正電壓誤接到負(fù)電壓端。
電流限制:根據(jù)連續(xù)漏極電流(Id)的限制,合理設(shè)計(jì)電路,避免過載運(yùn)行。
散熱設(shè)計(jì):在高反向電流或長(zhǎng)時(shí)間工作的應(yīng)用中,需關(guān)注散熱問題,確保器件溫度在正常范圍內(nèi)。
靜電防護(hù):在安裝和使用過程中,應(yīng)采取靜電防護(hù)措施,避免靜電放電對(duì)器件造成損害。
存儲(chǔ)與運(yùn)輸:請(qǐng)按照產(chǎn)品手冊(cè)中的建議進(jìn)行存儲(chǔ)和運(yùn)輸,避免暴露在[敏感詞]溫度、濕度或腐蝕性環(huán)境中。
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