IGBT場效應管的工作原理和檢測方法
IGBT，又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管(BJT)和絕緣柵場效應晶體管(MOS)組成的復合全控電壓驅動功率半導體器件。它的輸入是MOSFET，輸出是PNP晶體管。因此，它可以被視為金屬氧化物半導體輸入的達林頓晶體管。

它結合了MOSFET高輸入阻抗和GTR低導通壓降的優點，具有易驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高(10-40hz)等特點。它已逐漸取代晶閘管和門極關斷晶閘管(GTO)，是目前發展最快的新一代電力電子器件。廣泛應用于小體積高效率變頻電源、電機調速、不間斷電源和逆變焊機。

IGBT的工作原則

IGBT由柵極G控制，發射極E和集電極c。如果 IGBT柵極和發射極之間的電壓，即驅動電壓太低， IGBT就不能穩定工作；如果柵極和發射器之間的耐受電壓過高甚至超過， IGBT可能會[敏感詞]受損。

同樣，如果IGBT的集電極和發射極之間的電壓超過允許值，流經 IGBT的電流將超過極限，導致IGBT的結溫超過允許值，此時IGBT可能會[敏感詞]受損。

IGBT極性判斷

測試 IGBT時，應選擇指針式萬用表。首先將萬用表設在r1k，用萬用表測量兩極間的電阻。如果一極和其他極的電阻值是無窮大，換探頭后這個極和其他極的電阻值還是無窮大，這就是柵極g，用萬用表測量其他極之間的電阻。如果測得的電阻為無窮大，則更換探頭后電阻變小。當測得的電阻較小時，紅色探針接觸集電極C，黑表筆接觸發射極e

對 IGBT品質的判斷

判斷 IGBT好壞時，必須選擇指針式萬用表(電子萬用表內部電池電壓過低)，也可以用9V電池代替。首先，將萬用表撥到r10k檔(當使用r1k檔時，內部電壓過低，無法打開 IGBT)。用黑色手寫筆連接 IGBT的集電極C和紅表筆接IGBT的發射極E，萬用表的指針為零。

用手指同時觸摸網格G和集電極C，則觸發 IGBT導通，萬用表指針明顯擺動指向電阻較小的方向，可以保持在一定位置。然后用手指同時觸摸柵極G和發射極E。這時 IGBT被堵了，萬用表指針是回零在檢測中，上述現象都是一致的，可以判斷 IGBT是好的，否則就是 IGBT有問題。

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