半導體 三極管參數(shù)符號及其意義

??如果共發(fā)射極電流放大系數(shù)β=IC/IB =100，集電極電流IC=β*IB=10mA。集電極負載電阻為500Ω時，電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的電壓降VCE=5V。如果在基極偏置電路中疊加一個交流小電流ib，集電極電路中就會出現(xiàn)相應的的交變電流ic，有c/ib=β，從而實現(xiàn)雙極晶體管的電流放大。
??金屬氧化物半導體場效應晶體管的基本工作原理是通過半導體表面的電場效應在半導體中感應出導電溝道。當柵極G電壓VG增大時，P型半導體表面的多數(shù)載流子空穴逐漸減少并耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時，電子積累層將在n+源區(qū)S和n+漏區(qū)D之間形成導電溝道，當VDS≠0時，源漏電極之間有較大的電流 IDS 流過。使半導體表面達到強反轉(zhuǎn)所需的柵源電壓稱為閾值電壓VT。當VGS大于VT并取不同值時，反型層的導電能力會發(fā)生變化，在同一VDS下會產(chǎn)生不同的IDS，使得柵源電壓VGS可以控制源漏電流IDS。

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