01

國內(nèi)氮化鎵賽道的投資價(jià)值
          一、氮化鎵賽道的投資價(jià)值    第三代半導(dǎo)體的材料特性帶來其對(duì)硅基功率器件部分市場的逐步替代，這一點(diǎn)不斷通過市場應(yīng)用的驗(yàn)證，已基本成為共識(shí)。   相比碳化硅，目前硅基氮化鎵的主要劣勢包括耐壓等級(jí)低和缺乏可靠性的驗(yàn)證數(shù)據(jù)。另外，由于硅基氮化鎵整體產(chǎn)值低，尚未形成規(guī)模效應(yīng)，導(dǎo)致成本相比碳化硅并沒有形成優(yōu)勢。   但目前硅基氮化鎵廠商正在通過外延、器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)控制電路推動(dòng)產(chǎn)品向高耐壓（目前已有1200v的產(chǎn)品）和高可靠性（目前已有高壓器件的理想可靠性數(shù)據(jù)）不斷演進(jìn)，且氮化鎵器件的售價(jià)已經(jīng)逼近硅MOS，產(chǎn)品性能、品質(zhì)、成本不斷逼近甜蜜點(diǎn)。   另外，相比碳化硅， 硅基氮化鎵材料本身可以提供更高的電源效率和更低的成本，在600V至1200V區(qū)間，硅基氮化鎵會(huì)成為非常具備競爭優(yōu)勢的技術(shù)方向。   另外， 隨著碳化硅在汽車、光伏市場的不斷應(yīng)用，國內(nèi)外動(dòng)不動(dòng)幾十億甚至上百億產(chǎn)值的投資，直觀感受感覺碳化硅的市場規(guī)模很大，而用于小小充電頭的氮化鎵感覺市場規(guī)模要小很多。 根據(jù)Yole發(fā)布的數(shù)據(jù)，2025年碳化硅的市場規(guī)模為25億美金，2026年氮化鎵市場規(guī)模預(yù)測數(shù)據(jù)為10億美金，乍一看確實(shí)碳化硅的整體產(chǎn)值確實(shí)是氮化鎵的好幾倍。    但碳化硅和硅基氮化鎵對(duì)于國內(nèi)大部分企業(yè)的機(jī)會(huì)產(chǎn)值實(shí)際相當(dāng)：   一是考慮襯底的產(chǎn)值。成本結(jié)構(gòu)不同，沒有襯底環(huán)節(jié)的碳化硅企業(yè)機(jī)會(huì)產(chǎn)值大打折扣。 碳化硅襯底的成本約50%，外延片的成本約20%，器件制造封測的成本是30%。而氮化鎵的襯底成本基本忽略不計(jì)，外延50%，剩余的器件產(chǎn)值比例更高。    二是考慮車規(guī)的產(chǎn)值。市場需求不同，碳化硅重在車規(guī)，氮化鎵重在消費(fèi)。根據(jù)Yole發(fā)布的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2025年電動(dòng)汽車市場需求占比約為61%。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，氮化鎵的市場需求中消費(fèi)級(jí)占比約為70%。目前看，國內(nèi)碳化硅廠商在車規(guī)市場實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的應(yīng)用還有較長的路需要走。   三是考慮MOS的產(chǎn)值。 國內(nèi)碳化硅企業(yè)，目前還主要集中在SBD的市場，MOS尚鮮有出貨。 根據(jù)Yole發(fā)布的數(shù)據(jù)，2022年后MOS的產(chǎn)值將占到一半以上，隨著后期市場主要由電動(dòng)車推動(dòng)，MOS的比例還將繼續(xù)提高。 但 由于碳化硅MOS本身可靠性和工藝來源的問題，國內(nèi)廠商距離放心大膽開展大規(guī)模推廣應(yīng)用，還有較大的難度。   綜上所述，國內(nèi)碳化硅企業(yè)若刨除襯底材料、車規(guī)市場、非車規(guī)MOS所對(duì)應(yīng)的產(chǎn)值，其機(jī)會(huì)產(chǎn)值和硅基氮化鎵相比，實(shí)際并沒有太大區(qū)別。疊加氮化鎵和碳化硅30%和70%的市場增速，硅基氮化鎵從行業(yè)規(guī)模的角度是一個(gè)很好的賽道。   肌肉男碳化硅和閃電俠氮化鎵的重點(diǎn)分別在工業(yè)和消費(fèi)級(jí)市場（總體來看），品質(zhì)要求、市場定價(jià)、市場導(dǎo)入周期的不同這里不詳細(xì)展開， 但整體來看，主攻消費(fèi)級(jí)的應(yīng)用的氮化鎵，市場彈性會(huì)更高一些。   另外，由于碳化硅功率的發(fā)展階段相對(duì)成熟，國內(nèi)從襯底、外延、器件制造、或者是IDM，基本都有了相對(duì)公認(rèn)的那么幾家優(yōu)質(zhì)企業(yè)，留給創(chuàng)業(yè)者的機(jī)會(huì)窗口要小了一些。  
  二、國內(nèi)氮化鎵企業(yè)的機(jī)會(huì)和優(yōu)勢
  （一）“高增速+高集中度”，給新參與者帶來機(jī)會(huì)   根據(jù)Yole發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2020整體市場規(guī)模僅有4600萬美金，2026年預(yù)計(jì)增長到11億美金，2020年至2026年GaN功率器件市場將保持70%的增速，6年23倍。如此高的行業(yè)增速，直接帶來的問題氮化鎵器件的供應(yīng)鏈穩(wěn)定性如何保障。目前全球主要出貨廠商N(yùn)avitas和Pi兩家占到了全球70%以上的市場份額，國內(nèi)品牌廠商主要采用其中一家的氮化鎵充電方案。   短期看， 上游的供應(yīng)鏈高度集中，對(duì)于大型的品牌電源客戶分散供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)是剛性需求；長期看，對(duì)比目前硅基MOS CR5 65%的市場份額，目前氮化鎵的市場集中度過高，向硅基市場的格局逐步靠近，大概率是時(shí)間問題。    （二）目前國內(nèi)硅基氮化鎵的國內(nèi)整體水準(zhǔn)，相比硅基更有優(yōu)勢   2019年，國內(nèi)[敏感詞]的MOS和IGBT企業(yè)華潤微和士蘭微在全球的市占比為3%和2%，而目前氮化鎵賽道英諾賽科出貨量應(yīng)該已經(jīng)能排到第三的位置， 國內(nèi)有幾家氮化鎵初創(chuàng)企業(yè)雖然出貨較少，但目前整體的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)資源儲(chǔ)備在全球也占據(jù)不錯(cuò)的位置。   傳統(tǒng)的功率龍頭，如英飛凌和Ti的硅基氮化鎵產(chǎn)品尚難打開局面，國內(nèi)硅基氮化鎵行業(yè)， 雖不說彎道超車，但我們看目前國內(nèi)企業(yè)的全球地位、華人在氮化鎵領(lǐng)域的核心人 才儲(chǔ)備， 目前整體的進(jìn)展身位 相比硅基確實(shí)好很多。   綜上所述，在一個(gè)快速做大的蛋糕面前，國內(nèi)企業(yè)有實(shí)力、有稟賦分走一塊不小的蛋糕。       02       “集中+封閉”供應(yīng)鏈，價(jià)值和風(fēng)險(xiǎn)
          現(xiàn)有供應(yīng)鏈“集中+封閉”，造成市場由少數(shù)供給驅(qū)動(dòng)
  現(xiàn)有供應(yīng)鏈集中。不同于硅基產(chǎn)品，材料和制造環(huán)節(jié)均已非常成熟，氮化鎵供應(yīng)鏈目前通過批量驗(yàn)證的產(chǎn)能很少。國外Foundry主要包括臺(tái)積電、富士通、X-Feb，國內(nèi)主要有三安集成，另外有一些其他的Foundry也在布局。整體來看，國內(nèi) 供應(yīng)鏈資源非常稀缺。   現(xiàn)有供應(yīng)鏈封閉。目前全球氮化鎵Foundry主要產(chǎn)能僅服務(wù)于一家企業(yè)，設(shè)計(jì)公司和產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)強(qiáng)綁定的關(guān)系。Navitas作為全球出貨量[敏感詞]的硅基氮化鎵器件公司，目前基本占用了臺(tái)積電全部的氮化鎵產(chǎn)能，其他客戶很難再拿到產(chǎn)能。   現(xiàn)有供應(yīng)鏈的“集中+封閉”導(dǎo)致該市場的集中度非常高，Navitas、Pi、英諾賽科三家掌握核心產(chǎn)能供給的企業(yè)驅(qū)動(dòng)著市場，品牌的電源客戶也難有其他的選擇。  
  供應(yīng)鏈預(yù)計(jì)會(huì)繼續(xù)集中，持續(xù)封閉   持續(xù)集中   氮化鎵作為是新生技術(shù)產(chǎn)品，各個(gè)環(huán)節(jié)的技術(shù)發(fā)展都還處于較初級(jí)的階段，不管是終端客戶還是設(shè)計(jì)公司，對(duì)于上游的供應(yīng)鏈都持相對(duì)謹(jǐn)慎的態(tài)度。由于驗(yàn)證過的技術(shù)才是靠譜的，因此一旦有一條完整的產(chǎn)業(yè)鏈驗(yàn)證成熟，設(shè)計(jì)公司和電源客戶都會(huì)向該供應(yīng)鏈條加速聚集。   作為新興技術(shù)，整個(gè)生態(tài)相對(duì)還比較初級(jí)， 缺乏成熟的第三方外延片提供商，氮化鎵外延和工藝的人才非常稀有，導(dǎo)致企業(yè)打通“外延+制造”的產(chǎn)能難度很大。 另外，一個(gè)新的供應(yīng)鏈條的成熟需要通過出貨實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定，還有良率的爬坡，這些都需要時(shí)間。   外延片從哪里來，目前“外延+制造”深度綁定，幾家批量出貨的Foundry都是自主的外延產(chǎn)能， 因此目前市場上并沒有一家獨(dú)立第三方的外延片實(shí)現(xiàn)過大批量的出貨。 因此當(dāng)看待不管是目前正在成熟的氮化鎵Foundry，還是擬籌建的IDM，需要回答的[敏感詞]個(gè)問題是外延的解決路徑和驗(yàn)證時(shí)間。   工藝的人才在哪里，硅基氮化鎵的工藝，需要對(duì)氮化鎵材料本身的缺點(diǎn)具有充分的理解，這種理解建立在長時(shí)間的試錯(cuò)基礎(chǔ)上，導(dǎo)致目前全球具備該能力的核心人員非常稀缺。目前有一些硅基背景的功率廠商開拓氮化鎵的業(yè)務(wù)線，氮化鎵背景的工藝人才在哪里是核心關(guān)鍵。   現(xiàn)場驗(yàn)證后迭代，以臺(tái)積電的研發(fā)經(jīng)歷來看，其外延、工藝的整體研發(fā)過程都是伴隨著產(chǎn)品應(yīng)用所發(fā)現(xiàn)的問題，來反復(fù)推動(dòng)研發(fā)的迭代，帶來整個(gè)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定。因此， 若沒有充足的現(xiàn)場驗(yàn)證數(shù)據(jù)，不管是外延還是工藝，距離成熟還很遠(yuǎn)，另外還需要解決批量生產(chǎn)帶來的良率問題。臺(tái)積電作為工藝工程能力最強(qiáng)的企業(yè)，從開展氮化鎵的研究到穩(wěn)定量產(chǎn)花了五六年的時(shí)間，即便目前整體行業(yè)的研發(fā)基礎(chǔ)相比前期已有了更好的進(jìn)展，但是跑通上游的材料和制造環(huán)節(jié)依舊是一件難度很大的事情， 當(dāng)我們看待“成熟”的外延和工藝時(shí)，一是需要有敬畏之心，二是需要有驗(yàn)證周期。   持續(xù)封閉   由于硅基氮化鎵作為半導(dǎo)體代工的新興領(lǐng)域，從臺(tái)積電到國內(nèi)的三安集成，剛啟動(dòng)，其氮化鎵的產(chǎn)能規(guī)模都不大，因此一旦有一家設(shè)計(jì)公司跑出來，會(huì)占據(jù)該企業(yè)的大部分產(chǎn)能，且產(chǎn)能對(duì)訂單的影響會(huì)有很強(qiáng)的共振效應(yīng)：   設(shè)計(jì)公司出貨量大→產(chǎn)能需求大→Foundry支持大→供應(yīng)鏈有保障→供應(yīng)鏈穩(wěn)定性更高→客戶訂單需求量更大→設(shè)計(jì)公司出貨量大→產(chǎn)能需求大······  
  投資思考， 看待一家硅基氮化鎵的公司，長期穩(wěn)定的上游供應(yīng)鏈?zhǔn)顷P(guān)鍵。   投出貨最快的Fabless，資源會(huì)加速集中，速度慢的風(fēng)險(xiǎn)很大。由于各方面的原因，目前國內(nèi)Fabless主要依托于國內(nèi)Foundry，而國內(nèi)Foundry的外延和工藝都還在逐步成熟的階段，整體產(chǎn)能較小。當(dāng)前，國內(nèi)Fabless硅基氮化鎵公司的出貨量還較少，還沒有哪一家對(duì)Foundry的產(chǎn)能具備強(qiáng)影響力，因此，一旦有哪家Fabless能夠跑出來拿到規(guī)模訂單，鎖定住產(chǎn)能就能占據(jù)非常具備優(yōu)勢的競爭位置，速度慢的Fabless由于拿不到產(chǎn)能風(fēng)險(xiǎn)會(huì)很大。    投“外延+制造”技術(shù)經(jīng)驗(yàn)深厚的IDM，關(guān)鍵是能不能做出來，做出來就是全球的稀缺資源。對(duì)于IDM來說，能跑通氮化鎵的外延和制造，并滿足良率、可靠性的相關(guān)要求，目前來看是很難的一件事情，這一點(diǎn)需要有敬畏之心。但是一旦跑通，能帶來的先發(fā)優(yōu)勢也是非常顯著的。         03       技術(shù)路線，看技術(shù)，更要看生態(tài)
          氮化鎵晶體管通過兩種不同禁帶寬度（通常是AlGaN和GaN）材料在交界面的壓電效應(yīng)形成的二維電子氣來導(dǎo)電，由于二維電子氣只有高濃度電子導(dǎo)電，因此不存在硅MOSFET體二極管反向恢復(fù)的問題。這意味著在門極和源極之間不加任何電壓情況下氮化鎵晶體管的漏極和元件之間是導(dǎo)通的，即是常開器件。為了應(yīng)對(duì)這一問題，業(yè)界通常有兩種解決方案：   一是采用級(jí)聯(lián)(Cascode)結(jié)構(gòu)，通過串聯(lián)一顆MOS來實(shí)現(xiàn)關(guān)斷控制；二是采用單管增強(qiáng)型（P-GaN）結(jié)構(gòu)，即在門極增加P型氮化鎵外延層來實(shí)現(xiàn)關(guān)斷控制。   兩個(gè)技術(shù)路線，從技術(shù)出發(fā)評(píng)價(jià)，均存在各自的優(yōu)缺點(diǎn)，難以一分高下。單管增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)的主要缺點(diǎn)在于柵極可靠性相對(duì)要低、耐壓低，級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的主要缺點(diǎn)在寄生電感帶來的Emi問題。   可靠性。不同的技術(shù)路線的柵極的耐沖擊余量不同，P-GaN和Cascode的柵驅(qū)動(dòng)的耐壓等級(jí)大概一般約為7v和18V，柵極的開通電壓一般為6v和8v，帶來的直接的問題是P-GaN結(jié)構(gòu)的柵極耐沖擊余量僅約1-2V，對(duì)可靠性帶來較大的挑戰(zhàn)，從結(jié)構(gòu)的角度來看，Cascode的可靠性相比P-Gan要高不少，也更加適用于工業(yè)級(jí)的應(yīng)用。   耐壓。器件耐壓，Cascode由于有硅管的分壓等原因，器件的耐壓等級(jí)相對(duì)更高一些，目前P-GaN的器件耐壓還都在650V以下，Cascode能夠達(dá)到1200v，可以滿足大量的工業(yè)級(jí)的電壓需求。   電磁干擾。Cascode需要將硅管和氮化鎵器件合封在一起，帶來了較大的寄生電感，如果開啟較高的頻率，會(huì)導(dǎo)致Emi較大。   另外，工藝角度來看，Cascode和P-GaN分別需要生長一次和兩次外延，Cascode的整體工藝難度相比P-GaN更低一些。從驅(qū)動(dòng)的角度，Cascode驅(qū)動(dòng)與傳統(tǒng)硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)完全相同，且不用過多考慮柵極保護(hù)，相對(duì)要求更低一些。 成本的角度看，晶圓方面，Cascode由于只用一次外延，晶圓成本更低，但 整 體封裝成本更 高 一些。 綜合來看，由于P-GaN目前整體出貨量較大 ，整體成本水平更優(yōu) 。   表1  GaN器件結(jié)構(gòu)優(yōu)劣勢對(duì)比  

類型	級(jí)聯(lián)	增強(qiáng)
可靠性	優(yōu)	劣
寄生電感	敏感	不敏感
耐壓	優(yōu)	劣
功率	優(yōu)	劣
工藝難度	較難	難
驅(qū)動(dòng)難度	易	難

        從技術(shù)角度看，兩者[敏感詞]的區(qū)別在于級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)暫時(shí)解決了工業(yè)級(jí)的應(yīng)用問題。 由于級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的可靠性、耐壓特性更有優(yōu)勢，Transphorm作為級(jí)聯(lián)架構(gòu)的代表去年底也發(fā)布了比較理想的高壓器件失效率數(shù)據(jù)，目前看級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)在工業(yè)級(jí)市場更有優(yōu)勢。單 管增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)，目前也在通過更精準(zhǔn)的驅(qū)動(dòng)和電源方案來提高P-GaN結(jié)構(gòu)器件的可靠性，通過QST等襯底技術(shù)提高耐壓等級(jí)，但技術(shù)逐步成熟還需要時(shí)間。             但是產(chǎn)業(yè)技術(shù)路線的發(fā)展，除了技術(shù)本身，產(chǎn)業(yè)的生態(tài)往往起到非常重要的作用。 整體來看，由于級(jí)聯(lián)型結(jié)構(gòu)Pi和Transphorm的產(chǎn)業(yè)鏈比較封閉，而更加開放的單管增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)相 對(duì)更加百花齊放，目前國內(nèi)外主要幾家提供代工服務(wù)的Foundry走的都是單管增強(qiáng)型的工藝路線，下游的電源管理IC廠商絕大部分也專注于單管增強(qiáng)型的方案，整個(gè)生態(tài)對(duì)該技術(shù)路線相對(duì)抱團(tuán)，目前看單管增強(qiáng)型的產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)迭代、成本優(yōu)化會(huì)持續(xù)加強(qiáng)，中短期內(nèi)有望成為主流技術(shù)路線。       04       應(yīng)用方案，研發(fā)資源和機(jī)會(huì)窗口
         
  氮化鎵作為一個(gè)新興技術(shù)，目前整體方案的設(shè)計(jì)和應(yīng)用還是以氮化鎵器件廠商來推動(dòng)，也逐步出現(xiàn)一批電源管理IC的廠商形成以驅(qū)動(dòng)和控制芯片為核心的方案。   表2  GaN主要參與者類型  

類別		代表企業(yè)	結(jié)構(gòu)
GaN   主導(dǎo)	GaN	英諾賽科	GaN
		Gan Systems	GaN
	GaN   +驅(qū)動(dòng)控制	Pi	控制驅(qū)動(dòng)GaN合封
		Navitas	驅(qū)動(dòng)GaN單die
電源管理主導(dǎo)	驅(qū)動(dòng)+控制	恩智浦	LLC控制
		安森美	直驅(qū)和LLC控制
	GaN   +驅(qū)動(dòng) 控 制	東科	驅(qū)動(dòng)GaN控制合封
		必易微	驅(qū)動(dòng)+GaN

      氮化 鎵主導(dǎo)和電源管 理主導(dǎo)公司各自的優(yōu)勢不同。 氮化鎵器件企業(yè)主要優(yōu)勢： 掌握氮化鎵器件的稀缺供應(yīng)鏈資源； 氮化鎵器件理解更加充分； 推出相關(guān)方案的時(shí)間更有先發(fā)優(yōu)勢。 電源管理芯片企業(yè)主要優(yōu)勢： 驅(qū)動(dòng)和控制IC的設(shè)計(jì)能力； 電源方案的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)； ACDC合封技術(shù)能力和封裝供應(yīng)鏈資源； 原 有的電源客戶渠道。
        要做好一個(gè)理想的氮化鎵的方案，硅基氮化鎵公司除了要把功率器件做好，驅(qū)動(dòng)控制IC的技術(shù)和電源的方案也非常重要。 硅基氮化鎵是一家功率公司，前期也是一家電源公司。     氮化鎵方案相比硅基的方案，一是需要解決問題，如氮化鎵器件柵極耐壓、高頻所帶來的可靠性、EMI的問題；二是需要充分挖掘優(yōu)勢，發(fā)揮氮化鎵在傳統(tǒng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中充分實(shí)現(xiàn)效率高、體積小的特性。   因此在整體的方案需要： 1.充分理解氮化鎵器件的特性； 2. 方案層面具有很強(qiáng)的設(shè)計(jì)優(yōu)化能力 。 兩者需要互相充分理解（要很懂），在研發(fā)層面互相配合迭代（要能一體化研發(fā)），才能搞定一個(gè)好的電源方案。 通過氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)電路和控制電路的研發(fā)充分協(xié)同，輸出一個(gè)好的方案。      我們看到Pi和Navitas都在內(nèi)部著力于解決上述的問題，國內(nèi)硅基氮化鎵公司也在打造自己和電源管理IC公司的研發(fā)生態(tài)。   國內(nèi)硅基氮化鎵 企業(yè)如何實(shí)現(xiàn)功率器件和功率IC的研發(fā)協(xié)同，是否具備較強(qiáng)的電源方案團(tuán)隊(duì)儲(chǔ)備、技術(shù)經(jīng)驗(yàn)、深度研發(fā)合作伙伴，需要重點(diǎn)關(guān)注。   另外， 目 前主流的方案包括Pi、Navitas、英諾賽科三家，三家芯片的集成度依次降低，其中Pi采用了控制器、驅(qū)動(dòng)器和GaN器件合封 ，Navitas采用了驅(qū)動(dòng)和氮化鎵器件的單die集成，英諾賽科采用的是氮化鎵單管，直接帶來的是三家不同的方案。 目前主流的電源廠商的方案集中于上面這三種，因此擁抱主流的方案的阻力相對(duì)較小，差異化的方案需要再自建體系。       05       題外話和結(jié)語

          目前有一些這樣的觀點(diǎn)： 一是氮化鎵賽道不賺錢； 二是氮化鎵技術(shù)門檻低，國內(nèi)在建 產(chǎn)能多。    關(guān)于經(jīng)濟(jì)性， 待整體產(chǎn)值上來，各家企業(yè)的良率、產(chǎn)能利用率能夠再上一個(gè)臺(tái)階，作為非充分競爭的市場，中短期內(nèi)該賽道大概率比硅基功率更賺錢。 關(guān)于產(chǎn)能，目前媒體公布出來要建的硅基氮化鎵產(chǎn)能項(xiàng)目不少，大家有興趣的話可以挨個(gè)調(diào)研一下，實(shí)際有效產(chǎn)能有幾個(gè)，且可以評(píng)估下未來兩三年有希望有效的產(chǎn)能有幾家，這里不多說了。   硅基氮化鎵作為一項(xiàng)新興賽道，目前能從器件到方案的技術(shù)做好，并建立一個(gè)穩(wěn)定且經(jīng)濟(jì)的上游供應(yīng)鏈，難度很大，這樣的企業(yè)和團(tuán)隊(duì)也非常稀缺。  

只要能好的解決以上幾個(gè)問題，就是一家很難得的硅基氮化鎵的企業(yè)，不拘泥于商業(yè)模式、不拘泥于企業(yè)背景、不拘泥于晶圓尺寸、不拘泥于外延和器件的技術(shù)路線。

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