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強勢進軍現代電力電子,全面開啟SiC年,推動第三代半導體高質量發展

發布時間:2022-09-14作者來源:薩科微瀏覽:1708

近年來,SiC(碳化硅)作為典型的第三代半導體材料,在禁帶寬度、擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導率以及抗輻射等關鍵參數方面具有顯著優勢。現代電力電子領域對高功率、高電壓、高頻率具有巨大需求,是SiC功率產品的主要應用領域。SiC功率產品典型市場包括軌道交通、風電、光伏、新能源汽車及其配套充電樁、不間斷電源等,應用領域廣泛。






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十三所自2004年開始對SiC材料、器件進行工藝研究,與國際先進水平同步。經過多年的建設和發展,2017年4英寸SiC電力電子工藝線正式實現批產供貨;為進一步擴充產能、對標國際先進,2019年我所采用改擴建方式完成了SiC電力電子6英寸工藝線。截止目前,6英寸SiC電力電子工藝線已穩定生產供貨近3年。期間通過不斷優化產品性能指標,我所技術團隊又基于6英寸工藝線完成了第三代薄片工藝SiC SBD和第三代SiC MOSFET產品開發,產品指標均可對標國際一線品牌。







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近年來電動汽車市場快速增長,其中高壓SiC MOSFET作為電動汽車主逆變器和車載充電器的核心元器件,市場需求量巨大。尤其是用于主逆變器的1200V/100A高壓、大電流SiC MOSFET芯片,代表了當前SiC電力電子芯片技術的[敏感詞]水平,全球范圍內具備批量供貨能力的廠家屈指可數。我所經過多年的技術積累和艱苦攻關,突破多項關鍵技術,完成了車規級1200V/100A SiC MOSFET芯片產品批量生產,導通電阻小于13mΩ,實現了160mΩ、80mΩ、40mΩ、25mΩ、15mΩ、13mΩ等產品的系列化,產品品質得到了國內多家車企的認可。


2022年,十三所大力推進碳化硅在電力電子領域運用發展,全面開啟“碳化硅年”,并深入布局,圍繞“技術突破”和“市場拓展”兩個重點,以現有的6英寸碳化硅工藝線為硬件基礎,同時布局產業化公司發展。所控股公司--北京國聯萬眾半導體科技有限公司,作為十三所發展產業重要組成部分,以成為“國家網信事業主力軍”為發展戰略,以實現半導體核心器件自立自強為己任,以解決第三代半導體關鍵技術和實現產業化為目標,依托十三所現有人才、技術和產業基礎,以國創中心(北京)為平臺,集聚國內外優勢資源,全球招聘一流人才,對接資本市場,加快第三代半導體工藝線規模化建設;開展封裝、模塊、檢測、應用、科技孵化與服務等全產業鏈發展,力爭成為國際一流的第三代半導體骨干企業。


上半年,十三所當選河北省半導體產業聯盟理事長單位、河北省第三代半導體產業創新聯合體理事長單位,將牽頭打造河北省SiC產業鏈。

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第三代半導體行業即將步入千億級黃金賽道,中國“芯”蓄勢待發,中國電科十三所將把握這一歷史性發展機遇,繼續加大碳化硅電力電子領域研發和投入,不斷推陳出新,提高產品競爭力和市場影響力,以昂揚姿態奮力譜寫產業發展新篇章,以優異成績迎接黨的二十大勝利召開。



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