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發布時間:2023-03-29作者來源:芯小二的下午茶瀏覽:2549
今天續上篇,聊聊SiC及SiC在大功率充電樁應用的優勢,以及基于SiC的25KW/30KW/50KW的參考設計,國產SiC廠商的情況;小二水平有限,歡迎大家補充;
目錄:
什么是SiC
SiC的優勢及芯片
25KW/30KW/50KW充電樁模塊參考設計
國內SiC功率器件公司
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什么是碳化硅(SiC)
三代半導體,相信你肯定聽過,這里的代,是基于使用的半導體材料不同劃分,不像2G/3G/4G通信有新一代取代舊一代的情況;
[敏感詞]代半導體,以硅(Si),鍺(Ge)材料為代表,是目前邏輯器件的基礎,這幾年的通信領域的硅光芯片,也是基于硅;
第二代半導體,以砷化鎵(GaAs),磷化銦(InP)為代表,小二不是很清楚;
第三代半導體,則是以碳化硅(SiC),氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導體材料,在功率芯片上具有獨特優勢,近年得到廣泛的應用;
這里,順帶也解釋下,類似Si,SiC的材料,具體是如何形成芯片的;
大家應該經常聽到晶圓,也應該聽過硅晶圓是拉出來的,包括Si,SiC其實就是組成晶圓的材料;
而晶圓到芯片,就像水泥到房子,是物理和化學反應的生產過程;
以下圖MOSFET管子為例
圖中[敏感詞]部分就是SiC材料,在這個材料上,通過挖坑(掩模,腐蝕),填坑(離子注入等)的方式,在不同的SiC材料上添加不同的離子成分,形成G-D-S不同的極,最后通過封裝工藝,形成最后的芯片;
2
SiC的優勢及芯片
下表是不同半導體材料的特性:可以看到
Energy Gap,禁帶寬度反應的是價電子要成為自由電子所需要的能力,SiC是Si的接近3倍,禁帶寬度越寬,耐受高溫和高壓能力越強,反向漏電流越小,抗輻射能力越強;
Breakdown Field,絕緣擊穿場強,SiC是Si的10倍,SiC能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現更高耐壓;
Thermal Conductivity,導熱率,SiC是Si的3倍,熱阻更小,熱擴散能力更好,可以做到更高功率密度;
Saturation Drif Velocity,飽和漂移速率,值越高,開關速度更快
綜上,基于SiC材料的器件,可以實現 "高耐壓"、"低導通電阻"、"高頻" 三個特性。
目前,基于SiC的功率器件主要兩大類:SiC-MOSFET和SiC-SBD
[敏感詞]類:SiC-MOSFET
第二類:SiC-SBD
如下是實際使用硅(Si) IGBT及碳化硅(SiC) MOSFET的功耗損失對比
圖片來自羅姆官網
3
25KW/30KW/50KW充電模塊參考設計
如下是Onsemi推出的基于SiC的25KW 充電模塊參考設計
Onsemi的設計采用了
- 三相六開關的PFC,開關頻率在150kHz
- 雙有源全橋DCDC,開關頻率在100kHz
控制芯片采用了Zynq-7000 SoC FPGA,前后級各一顆;
SiC模塊,驅動,采樣及輔助電源芯片如下:
如下是Onsemi微信公眾號的全中文版本的設計系列,“基于SiC的25KW快速直流充電樁系統設計”
從應用概述到方案概述,仿真,設計等一條龍;
https://mp.weixin.qq.com/mp/appmsgalbum?action=getalbum&__biz=MzI5MjM3MzU3NA==&scene=1&album_id=2759840207167864833&count=3#wechat_redirect
這是WolfSpeed的三相交錯LLC DC-DC變換器,30KW功率,設計采用了1200V C3M SiC MOSFETs (C3M0040120K) and 650V C6D SiC Schottky Diodes (C6D20065D and C6D10065A)
此外:
SiC MOSFET驅動芯片:采用了TI的UCC5350MC
DSP芯片:采用了TI的TMS320F28377DPTPT
開關頻率:130kHz-250kHz
設計資料可以從這個鏈接獲取:
CRD30DD12N-K 30kW Discrete Interleaved LLC DC-DC Converter | Wolfspeed
這是Infineon的50KW充電模塊拓撲,SiC器件及開關頻率信息
PFC采用了三相Boost PFC維也納架構,DCDC采用了全橋LLC諧振轉換器
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國內SiC功率器件廠家介紹
先做個聲明,這里介紹的公司,不是對其產品的推薦,而是從網絡及平常交流獲取的相關信息分享
瞻芯電子,拿到了小鵬汽車的戰略融資,自建了符合IATF16949的6寸SiC晶圓廠,目前已經發布的產品有SiC MOSFET,SiC SBD,SiC Module,Gate Driver,Controller;
這家公司在PCIM的文章分享還是令人深刻;
派恩杰半導體,成立于2018年的派恩杰半導體,從成立之初就聚焦于碳化硅MOSFET,緊鑼密鼓布局車規級半導體芯片,并已順利“上車”,產品已應用于汽車OBC等領域,其和X-FAB晶圓代工廠戰略合作;
如下是其產品發布軸
數明半導體,成立于2013年,專注于工業、汽車、能源領域的驅動芯片、電源管理及智能光伏芯片、接口與信號鏈芯片的研發。其研發出國內[敏感詞]兼容光耦帶DESAT保護功能的IGBT/SiC隔離驅動器;
華潤微電子,是華潤微電子有限公司是華潤集團旗下負責微電子業務投資、發展和經營管理的高科技企業,曾先后整合華科電子、中國華晶、上華科技、中航微電子等中國半導體企業,經過多年的發展及一系列整合,公司已成為中國本土具有重要影響力的綜合性半導體企業,自2004年起多年被工信部評為中國電子信息百強企業。
目前華潤微發布了650V/1200V的SiC SBD
湖南三安,是全球第三家具備碳化硅全鏈整合能力的企業,提供襯底、外延、芯片、封裝及模塊等[敏感詞]工制造服務,具備成熟的大規模制造經驗和質量管理能力,實現產能以及質量驗證的全鏈管控能力。目前已實現月產能12,000片,達產后將實現年產能500,000片碳化硅6寸晶圓
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