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SiC MOSFET學習筆記5:車規級功率半導體模塊可靠性標準

發布時間:2023-02-16作者來源:薩科微瀏覽:4327

功率半導體的車規可靠性標準比較多,主要有美國汽車電子委員會的AEC標準(主要是針對晶圓)和歐洲電力電子中心的AQG324(針對模塊)。今天主要復習AQG324這個標準。

先討論一個工程邏輯:任何一個新產品,在設計之初就應該考慮其使用的可靠性,設計有缺陷,后期工藝上是很難彌補的,因此,當可靠性測試出現問題時,首先要考慮設計(產品設計,工藝設計)上的問題。因此,可靠性測試實際上也是對產品設計的一個檢驗。

電動汽車的功率半導體,特別是SiC MOSFET或者Si IGBT模塊,因為是用在動力心臟---電驅動上;主驅的工況較為惡劣,一旦出問題就會導致整車失去動力,因此其可靠性測試項目要相比其他汽車電子嚴格。

歐洲電力電子中心這套標準嚴格說不算標準;它只是提及到了實驗方法,且只是部分測試項點給了通過判定條件;還有一些測試項點并沒有給出嚴格的判斷標準;所以一般國內功率器件廠商相對更多引用行業內的標準,或者有的大型車企自己也會定一個相對更嚴格的判定條件。

那么一般會測哪些內容呢?三大類QC/QE/QL。

QC(Qualificationof Characterization)是特性表征測試;包含模塊產品自身的寄生電感(雜散電感);熱阻;短路能力;絕緣能力;還有一些機械參數;

所有的QC項目都是非破壞性的,也就是說;實驗后的樣品,沒有問題的話是可以繼續使用的。

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QE(Qualificationof Environment)指環境實驗項目;包含三項:溫度沖擊實驗,機械振動實驗和機械沖擊實驗。QE類實驗全是破壞性的;也就是說,模塊做完測試驗證合格后,也無法再進行使用了,只能封存或者報廢。

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QL(Qualification of Lifetime)是壽命實驗項目,有時候也叫耐久實驗;目的是檢驗模塊的工作壽命是否滿足要求;包含7項:

PCsec秒級功率循環;PCmin分鐘級功率循環;HTSL高溫存儲;LTSL低溫存儲;HTRB高溫反偏;HTGB高溫柵偏;H3TRB高溫高濕柵偏。

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其中特別值得關注的是秒級功率循環PCsec;其測試原理是:給芯片通規定的大電流,讓芯片發熱,在5s內讓芯片依靠自身工作發的熱,將芯片強行加熱到其[敏感詞]工作溫度,然后瞬間斷電,同時冷卻水不斷對模塊進行強制冷卻,直到冷卻到溫度差為100℃;然后再繼續給芯片通電,讓其給自身強制加熱;再強制冷卻。。。如此反復;至少做XXXXX次。。。

分鐘級功率循環原理一樣;不過把導通時間規定變得更長了。

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這個項目本身考驗很多點;其中對芯片的頂部金屬化層和發射極鍵合線鍵合點的考驗最嚴苛;鍵合線熱膨脹系數與芯片表面鋁層熱膨脹系數不同;芯片熱膨脹系數與DBC板不同導致的。損傷的結果主要是綁定線脫落,斷裂,芯片焊層分離。

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資料來源:姜南博士

個人認為,PC功率循環是表征模塊可靠性的一個非常重要的指標,因為這個實驗積累的累積損傷模型數據很重要;在拿到汽車行駛的工況信息后;可以結合累積損傷模型和功率譜密度;通過雨流算法,直接推斷出模塊能否滿足裝車后的駕駛里程壽命(30萬公里以上?)。

再來看其他幾項;

HTRB,高溫高壓反偏測試,測試IGBT芯片的耐高壓的可靠性。
HTGB,高溫門極應力測試,測試IGBT芯片門極的耐壓可靠性。
H3TRB,高溫高濕反偏測試,測試IGBT芯片在高濕環境的可靠性。
值得一提的是;如今很多半導體廠商已經不滿足于低壓80V下的H3TRB,而是直接將器件兩端的阻斷電壓提升到了80%的Vbr:HV-H3TRB,高壓高溫高濕反偏測試,這是H3TRB的更嚴苛版本,因為高濕的本質是對芯片鈍化層的一種腐蝕,而高壓會加速這種腐蝕,這個測試非常考驗芯片終端區和鈍化層的能力。
所以,電動汽車電驅動用模塊可靠性測試主要包括以上測試項點;
個人認為,每個項點都很重要,但是閱讀排序可以分先后:PCsec,PCmin,HTGB,H3TRB,HTRB,TST,VVF。。。
當然,如果產品是一個系列,那么有許多項目是可以省略掉的;比如一個新產品只是進行了芯片升級;那么只需要做和芯片電相關的PCsec,PCmin,HTGB,HTRB,H3TRB即可


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