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發布時間:2022-03-18作者來源:薩科微瀏覽:11459
MOS管發熱是電路中常見的問題,經常困擾著我們,接下來小編總結出了幾個MOS管發熱的問題及原因:
問題不夠詳細,不過mos管發熱一般有這么幾種:1.負載過重,導致mos管過流發熱。2.推動激勵信號不足,導致mos管發熱。3.激勵信號過強,也會導致mos管發熱。一般mos管工作溫度都在120攝氏度以下,都可以工作的。
一般都不會超過70度吧
不是的,大部分的mos管[敏感詞]工作溫度都在120度以下,不過不是[敏感詞]的,也有工作溫度低的。也有工作溫度在幾百度的。
MOS管發熱的原因:
1.電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。
2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大了。
3.電流太高,沒有做好足夠的散熱設計,MOS管標稱的電流值,一般需要較良好的散熱才能達到。所以ID小于[敏感詞]電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。
MOS管不飽和,壓降高。原因可能是MOS管驅動問題,要加個中間級。振蕩頻率過低。儲能電感偏小或漏感大。
MOS發燙肯定是功率損耗在上面了。原因是未工作于開關狀態。
查一查MOS驅動,驅動電流夠不夠,電壓夠不夠
另外,D1不要用1N4007,[敏感詞]用速度更快的開關二極管,如SK34等樓主我認為發熱是正常的 MOSFET的漏極和源級有壓降為Vds 這個電壓乘以漏極電流就會產生功率消耗 所以會發熱 希望能幫到樓主mos發熱就是因為電流過大,1V的電壓下電流已經快1A了,換mos管吧為什么輸出沒有接電容進行儲能濾波??
不管是什么電源,MOS管燒壞只有3個原因:過壓,過流,過熱。
R&D設計產品時都會考慮MOSFET的工作環鏡,可以從輕載到滿載去調試過流點,從低壓到高壓去調試過壓點,長期老么去調試過溫。
上點就炸的就要考慮電壓環及電流環是否開環等!
一會再炸的就要考慮過溫的原因了,比如MOS高頻損耗、變壓器損耗、散熱等!
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