晶體三極管又稱晶體管、雙極型晶體管；

在晶體管中有兩類不同的載流子參與導電。

一、晶體管的結構和類型

1. 晶體管的結構

在同一個硅片上制造出三個摻雜區域，并形成兩個PN結，就形成三極管。

2.晶體管的類型

基極為P的稱為NPN型，基極為N的稱為PNP型。

二、晶體管的電流放大作用

 晶體管的放大狀態的外部條件：發射結正偏且集電結反偏。

發射結正偏：發射區的載流子可以擴散到基區

集電結反偏：基區的非平衡少子(從發射區擴散到基區的載流子)可以漂移到集電區。

如果發射結正偏，集電結也正偏，出現的情況將是發射區的載流子擴散到基區，同時集電區的載流子也漂移到基區。

1.晶體管內部載流子運動

①發射結正偏：發射區載流子向基區擴散，基區空穴向發射區漂移

②集電極反偏，非平衡少子運動：從發射區過來的載流子到達基區后，稱為非平衡少子(基區是P帶正電，載流子是電子，所以是非平衡少子；基區空穴雖然是多子，但是數量比較少)，一方面與基區的空穴復合(少量)；另一方面，由于集電極反偏，會產生非平衡少子的漂移運動，非平衡少子從基區漂移到集電極，從而產生漂移電流。由于集電極面積非常大，所以可以產生比較大的漂移電流(到達基區的載流子，由于集電極反偏，所以對基區的非平衡少子有吸引，集電極帶正電，非平衡少子帶負電）

③集電極反偏，少子漂移電流：由于集電結反偏，處于基區的少子(電子)會漂移運到到集電區；集電區的少子(空穴)會漂移運動到基區

2.晶體管中的電流分關系

三、共射電路放大系數

1. 直流放大系數：放大系數：Ic=(1+β)IB

   

   
   

   

2.交流放大系數：直流電流放大系數可以代替交流電流放大系數