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- 更新日期: 2024-04-08
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IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;(因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN結材料和厚度有關))MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。(因為MOS管有Rds,如果Ids比較大,就會導致Vds很大)