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MOS管怎么用？從認識米勒效應、開關損耗、參數匹配及選型開始
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2757
?MOS管即場效應管（MOSFET），屬于壓控型，是一種應用非常廣泛的功率型開關元件，在開關電源、逆變器、直流電機驅動器等設備中很常見，是電力電子的核心元件。 ?MOS管有N溝道和P溝道之分，N溝道相當于NPN的三極管；P溝道相當于PNP的三極管。實際設計及應用中，N溝道MOS管占絕大多數，所以下面以N溝道MOS……
最強總結：27個模擬電路基礎知識！
  • 更新日期： 2022-03-18
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01基爾霍夫定理的內容是什么？ 基爾霍夫電流定律：在電路任一節點，流入、流出該節點電流的代數和為零。 基爾霍夫電壓定律：在電路中的任一閉合電路，電壓的代數和為零。 0 2 戴維南定理 一個含獨立源、線性電阻和受控源的二端電路 ，對其兩個端子來說都可等效為一個理想電壓源串聯內阻的……
超強半導體
  • 更新日期： 2022-03-18
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作者: Gregg H. Jessen 在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中， 已故的萊斯特?F.伊斯曼（Lester F. East-man）和烏梅什?K. 米什拉（Umesh K.Mishra）談到了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器……
模擬集成電路設計流程——版圖設計基礎（二）
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 4275
由于反相器版圖設計簡單，器件數量很少，所以本文后面的演示依然使用Layout L工具，關于Layout XL工具的使用大家可以自行試驗。 調入NMOS和PMOS晶體管之后，選中器件，按下快捷鍵q按照原理圖中的尺寸編輯器件屬性，使MOS管的W、L與原理圖中保持一致。 在編輯器件屬性的時候可以根據器件尺寸調整器……
模擬集成電路設計流程——版圖設計基礎（一）
  • 更新日期： 2022-03-18
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模擬集成電路設計中，除了電路的設計以及仿真之外，版圖設計也是很重要的內容，版圖設計的質量直接跟芯片的性能相關，接下來的幾次內容會跟大家一起學習版圖設計的內容。版圖前的準備 軟件上設計的電路是如何在代工廠加工成有一定功能的芯片呢？電路設計和芯片之間是通過版圖聯系的，電路設計只是一個形式，而版圖是電路的具體表現……
恒流電路的三種設計方案
  • 更新日期： 2022-03-18
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作為硬件研發工程師相信對恒流電路不會陌生，本文介紹下三種恒流電路的原理圖。 三極管恒流電路 三極管恒流電路 三極管的恒流電路，主要是利用Q2三極管的基級導通電壓為0.6~0.7V這個特性；當Q2三極管導通，Q1三極管基級電壓被拉低而截止，負載R1不工作；負載R1流過的電流等于R6電阻的電流（忽……
IC設計風云變幻，EDA工具的“定數”和“變數”
  • 更新日期： 2022-03-18
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以不變應萬變在這個時代對于EDA廠商而言是行不通的，靈活性將成為EDA工具一個重要的性能指標，而靈活性是云與生俱來的本領。Frank Schirrmeiste表示：“業界正迎來SaaS作為EDA工具使用模型的時代，自動化將為用戶提供最優的異構架構，以最高效的方式執行EDA工作負載。” 高性能計算HPC，異……
詳解二極管限幅電路和鉗位電路
  • 更新日期： 2022-03-18
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二極管最重要的特性是單向導電性，利用這一特性可以設計很多好玩實用的電路，本文主要講述限幅電路和鉗位電路。 本文目錄 ▉ 正限幅電路 正……
RS-485總線，這篇很詳細
  • 更新日期： 2022-03-18
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前世今生 RS-485，RS是什么意思呢？是Recommended Standard的縮寫，就是推薦標準的意思。485是標準標識號，至于為什么定這個標識號，則無需深究。RS-485又稱為ANSI/TIA/EIA-485，這幾個前綴是標準協會的名稱縮寫，比如EIA就是電子工業協會 (Electron……
介紹H橋電機驅動電路
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 1799
什么是H橋 因為電路長得像字母H而得名，通常它會包含四個獨立控制的開關元器件，例如下圖有四個MOSFET開關元器件Q1、Q2、Q3、Q4。 它們通常用于驅動電流較大的負載，比如電機。 H橋電路中間有一個直流電機M。 D1、D2、D3、D4是MOS-FET的續流二極管； 開關狀態……
單片機中常用的負電壓是怎樣產生的？
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 1739
負電壓的產生電路圖原理 在電子電路中我們常常需要使用負電壓，比如說我們在使用運放的時候常常需要建立一個負電壓。下面就簡單的以正5V電壓到負電壓5V為例說一下它的電路。 通常需要使用負電壓時一般會選擇使用專用的負壓產生芯片，但這些芯片都比較貴，比如ICL7600，LT1054等。差點忘了MC34063了，這個……
瞻芯電子分析SiC功率器件的可靠性及應用
  • 更新日期： 2022-03-18
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SiC作為第三代半導體材料，性能各方面都要優于Si基材料，與傳統基于Si半導體材料的功率器件相比，新興SiC功率器件 具有開關速度快、阻斷電壓高和耐高溫工作能力強等優點，更能滿足未來電力電子技術的發展要求。 上海 瞻芯電子 經過三年的深度研發和極力攻關，成為中國第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝，以及 SiC MOSFET驅動芯片 的公司。本文就瞻芯電子SiC功率器件的可靠性及應用進行說明，讓用戶在使用前放心、使用中省心，從而做出更好的產品。 1. 上海瞻芯電子的SiC

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