MOS管（也稱場效應(yīng)管），是MOSFET的縮寫。場效應(yīng)管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場效應(yīng)管。

IGBT的應(yīng)用范圍是多少？可應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？ 功率半導體的應(yīng)用范圍 功率半導體分為以元件單位構(gòu)成的分立式元器件 (Discrete) 部件和由該基本部件組成的模塊 (Module)。IGBT也同樣存在分立式元器件和模塊之分，并分別有其適合的應(yīng)用范圍。下圖所示為以IGBT為主的功率半導體在開關(guān)（工作）頻率與輸出電容關(guān)系圖中的應(yīng)用范圍。 【功率半導體的應(yīng)用范圍】 IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域

薩科微Slkor運算放大器有著怎樣的溫度特性呢？大家都知道工作溫度范圍是指可維持IC所期待的功能，進行正常工作的范圍。IC的特性會因溫度的不同而發(fā)生變動。

絕對最大額定項目是指即便是瞬間性的也是不可超越的條件。 施加了超過絕對最大額定值的電壓或在絕對最大額定值規(guī)定的溫度環(huán)境外使用時，可能會導致IC的特性退化或損壞。

運算放大器（運放）與比較器電路結(jié)構(gòu)非常相似，經(jīng)常會有人分不清兩者，下邊給大家詳細說明一下，運算放大器的電路結(jié)構(gòu)是怎樣的，與比較器相比有何不同？

運算放大器類型可根據(jù)參數(shù)大體可分為通用型、低溫漂型、高速型、高阻型、高壓大功率型、低功耗型、可編程控制型，根據(jù)輸入/輸出電壓范圍的差異，可分為雙電源運算放大器、單電源運算放大器、軌到軌運算放大器。

運算放大器(Operational Amplifier)又名：運放，內(nèi)含多級放大電路的電子集成電路，是一種具有很高放大倍數(shù)的電路單元。輸入級是差分放大電路，具有高輸入電阻和抑制零點漂移能力；中間級主要進行電壓放大，具有高電壓放大倍數(shù)，一般由共射極放大電路構(gòu)成；輸出極與負載相連，具有帶載能力強、低輸出電阻特點。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）也稱為：絕緣柵雙極晶體管，IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

何為SiC功率模塊？隨著近年來，對半導體材料的要求及性能的不斷提高，單個功率器件已無法完全滿足需求，于是就有了功率模塊的出現(xiàn)，SiC功率模塊則是為了滿足對材料要求更高的電子電路所設(shè)計的，接下來跟隨薩科微小編詳細了解一下。

SiC材料與目前應(yīng)該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場強和高工作溫度。

由于在傳導過程中沒有額外的載流子注入和存儲，SBD 具有低反向恢復電流、快速關(guān)斷過程和低開關(guān)損耗。

想要了解SiC功率器件是什么，都有哪些特征？首先我們得知道SiC材料的物性和特征。