我之前發布過全球第二代和第三代化合物半導體晶圓襯底、外延制造商的名單，獲得不少行業朋友的反饋和指點，加上我最近一段時間的收集整理，目前名單又有不少更新，所以特地發一個新版本供大家參考 這次，我把第二代、第三代（寬禁帶）材料制造商的名單放到一起，方便讀者完整了解 ……

多年以來，基于硅襯底的邏輯集成電路制造工藝技術一直按照摩爾定律不斷發展演進。目前TSMC的3nm工藝也即將投入量產 對于多數人而言，代表半導體工藝水平的線寬尺寸自然耳熟能詳，但是隨著電路圖形的不斷縮小，各種新的技術和材料、甚至晶體管本身的結構也發生著變化。為了方便大家參考了解，我特地查找資料并咨詢行業專家，整理了……

全球半導體市場數據： 根據美國SIA公布的最新數據，全球4月份半導體器件市場高達418億美金，較去年同期上漲21.7%，其中最大漲幅還是來自中國大陸 從下圖可見，最新一月的銷售已經接近動態分布范圍的上限，目前看來上漲趨勢還會持續 晶圓代工廠數據： 以下是TSMC、……

Ø“整流橋+TVS”集成封裝=TVS橋 即把不同規格TVS（瞬態二極管）集成在整流橋里的一種新型器件。 TVS橋的特點： ……

氮化鎵（GaN）是下一代半導體材料，其運行速度比舊的傳統硅（Si）技術快20倍，并且可以為尖端的快速充電器產品實現三倍的功率提升，同時可以實現的性能遠遠超過現有產品。在相同大小的情況下，輸出功率增加三倍。 正是由于這些性能優勢，GaN在消費快速充電源市場中具有廣泛的應用。充電頭網的統計數據……

人工智能（AI）、邊緣運算與萬物聯網趨勢，帶來無所不在的感測、通訊與功率解決方案需求，化合物半導體的重要性也隨之暴增。從資料中心里的服務器、網通設備，到手機上的 RF 功率放大器，以及為所有電子元件供應電力的功率元件，都將因化合物半導體的普遍運用，在性能上出現重大突破。 5G通訊頻率高，……

SiC是半導體領域最具成長力的材料，預計到2028年市場增長5倍。 SiC目前有兩大應用市場，一是電動車逆變器、充電樁、太陽能發電、直流電網中取代硅基IGBT，二是以SiC基板（Substrate，大陸多稱之為襯底，也有稱之為blankraw wafer，空白晶圓）承載GaN做5G基地臺的RF功率放大。 SiC和GaN都是市場備受矚目的第三代半導體材料，第一代是硅，第二代則是砷化鎵。第三代又稱寬帶隙半導體。其最主要應用就是功率電子領域，功率半導體兩個最重要參數

隨著汽車電動化、智能化、網聯化等發展，汽車電子迎來結構性變革大機會。在傳統燃料汽車中，汽車電子主要分布于動力傳動系統、車身、安全、娛樂等子系統中。按照功能劃分，汽車半導體可大致分為功率半導體（IGBT和MOSFET等）、MCU、傳感器及其他等元器件。 對于新能源汽車而言，汽車不再使用汽油發動機、油箱或變速器，……

隨著近年來美國對我國半導體產業的重重禁運封鎖廣泛報道，大家對第二代半導體中的硅基半導體，也已經有很多了解。而今天，我們要談的，是下一代，即第三代半導體中的一種重要材料——碳化硅。 碳化硅（SiC），與氮化鎵（GaN）、金剛石、氧化鋅（ZnO）等一起，屬于第三代半導體。碳化硅等第三代半導體具有禁帶寬……

近日網絡盛傳"歐美全面停供中國汽車芯片"的消息，據稱歐美政府正在起草一份方案報告，美國和歐洲的半導體制造商，全部停止向中國汽車廠家提供芯片。在消耗完現有的存量后，中國汽車將進入大面積停產狀態。這或再次掀開了中國半導體“芯片之殤”的傷疤。 中國自主品牌98%以上的車載半導體來自于歐美供應商，……

【CSDN 編者按】RISC-V 掀起大熱，毫無疑問，它未來無限光明、前途無量，但是，我認為它還有不小的進步空間。本文將帶領大家一起看看 RISC-V 目前還存在的一些缺陷…… 在硬件設計方面，人們經常吹捧的一種設計是 RISC-V，它的 ISA 是開放的……

“02專項”支持下的上市公司全景 提到中國集成電路產業的發展，就不得不提到“02專項”。 特別是在硬科技投資領域，10年前開始，就有一大批投資機構圍繞在“02專項”周圍，跟隨著國家支持集成電路的步伐，展開同步投資。 此前，市場上也有消息傳聞，國家集成電路大基金二期主投方向為半導……