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發布時間:2022-03-17作者來源:薩科微瀏覽:2186
日前,集設計、研發、生產和全球銷售一體的[敏感詞]功率半導體、芯片及數字電源產品供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達克代碼:AOSL) 推出采用優化的TO-247-4L封裝,符合AEC-Q101標準的新型1200V碳化硅MOS管(αSiC MOSFET)—AOM033V120X2Q。這款1200V 碳化硅MOS管為可接受15V標準柵極驅動器的TO-247-4L車規封裝,并提供行業內領先的[敏感詞]導通電阻,滿足電動汽車(EV)車載充電機、電機驅動逆變器和車載充電樁的高效率和可靠性要求。
隨著電動汽車市場每年以成數百萬個單位的加速發展,汽車制造商正越來越多地實現800V電氣系統,用以減小系統尺寸和重量的同時也延長了EV續航里程距離,并顯著提高其充電速度。AOS 1200V車規級αSiC MOSFET專為這些苛刻的應用要求而設計,與傳統的硅器件相比,具有卓越的開關性能和效率。
AOM033V120X2Q是1200V / 33mΩ SiC MOS管,其在我們的第二代αSiC MOSFET平臺的基礎上,采用TO-247-4L優化封裝。與標準3腳封裝不同,使用額外的開爾文源極(Kelvin Source)感測引腳可降低封裝內部回路上的寄生電感,使得該器件能夠在更高的開關頻率下工作。與標準封裝相比,開關損耗最多可降低75%。其柵極驅動電壓僅為15V,可以使柵極驅動器具有最廣泛的兼容性,從而易于在各種系統設計中采用。此外,αSiC MOSFET在高溫175°C下導通電阻的增加非常小,大幅度地降低功率損耗并進一步提高效率。
“為了持續推進電動汽車技術取代傳統內燃機為主的交通運輸工具,汽車制造商正在努力擴大續航里程并縮短充電時長。隨著我們發布符合車規驗證標準資格的1200V αSiC MOSFET,AOS可以為設計人員提供更先進的下一代半導體技術,以提高效率達成能效目標”。AOS寬禁帶產品高級總監David Sheridan表示,“由于產品性能,可靠性和具有批量生產能力的供應鏈相結合,我們的客戶選擇了我們的技術”。
αSiC MOSFET產品組合將于今年下半年擴展,包括更廣泛的靜態導通電阻和更多封裝選項,以及更多通過AEC-Q101車規驗證標準資格的產品,請您拭目以待。
技術亮點
通過AEC-Q101車規驗證標準資格,且提供汽車產業供應鏈中使用的質量保證程序PPAP報告;
[敏感詞]工作結溫175°C;
低導通電阻且不易受溫度影響;
低Qrr和高可靠的寄生二極管;
使用額外的開爾文源極(Kelvin Source)感測引腳以實現快速低損耗切換;
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