放大器是構(gòu)筑模電大廈最基礎(chǔ)的磚石，它是一種有源器件，需要供電才能工作，電源的不同選擇和設(shè)置也會對放大器參數(shù)性能產(chǎn)生影響，因此，不管您是已入職場的設(shè)計人員，還是在正在學習電路設(shè)計的學生，都應該對放大器電源有更多的了解。

一、MOSFET簡介 ■MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-半導體-場效晶體管. ■MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀60年代，首先出現(xiàn)在模擬電路的應用。 ■功率M……

1.歐姆定律計算 ……

GaN半導體器件用于增長消費電子產(chǎn)品的市場潛力。

晶振概述 晶振一般指晶體振蕩器。晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片），石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振； 而在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。 晶振工作原理 ……

MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻譯過來是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，根據(jù)導電溝道的不同，MOS可以細分為NMOS和PMOS兩種。 下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個二極管，有人說這個二極管是寄生二極管，有人說是體二極管，究竟哪個說法準確呢？很多同學也非常好奇：為什么要并聯(lián)這個二極管？是否可以刪除呢？ 這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說起，不

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。 理想等效

近幾十年來，以新發(fā)展起來的第 3 代寬禁帶功率半導體材料碳化硅（SiC）為基礎(chǔ)的功率半導體器件，憑借其優(yōu)異的性能備受人們關(guān)注。SiC與第1代半導體材料硅（Si）、鍺（Ge）和第 2 代半導體材料砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比，其禁帶寬度更寬，耐高溫特性更強，開關(guān)頻率更高，損……

設(shè)計原理圖時，網(wǎng)絡(luò)標號要盡量簡潔眀了。 本文總結(jié)了一下基本的表示方法，供大家參考。 常用控制接口 ……

問題： 查看有些原理圖的設(shè)計時，經(jīng)常看到串一些小電阻，如0Ω，22Ω，33Ω等等，但是也不是一定串。同樣場合有的串，有的不串。這是為什么呢？這里電阻串聯(lián)的意義是什么呢？什么時候需要串電阻呢，阻值取多大呢？ 關(guān)于這個問題，我們先看下網(wǎng)上的一些答案： 有人說：參考設(shè)計上推薦……

Source、Drain、Gate分別對應場效應管的三極：源極S、漏極D、柵極G（這里不講柵極GOX擊穿，只針對漏極電壓擊穿）。 EDA365電子論壇

我們知道，在電路系統(tǒng)的各個子模塊進行數(shù)據(jù)交換時可能會存在一些問題導致信號無法正常、高質(zhì)量地“流通”，例如有時電路子模塊各自的工作時序有偏差（如CPU與外設(shè)）或者各自的信號類型不一致（如傳感器檢測光信號）等，這時我們應該考慮通過相應的接口方式來很好地處理這個問題。 下面就電路設(shè)計中7個常用的接口類型的關(guān)鍵點……