恒流晶閘管恒壓模塊的特點(diǎn)及應(yīng)用 ??1.介紹 ??在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中，晶閘管因其技術(shù)成熟、大電流、高電壓而得到廣泛應(yīng)用。在由晶閘管組成的自動(dòng)控制系統(tǒng)中，許多是采用電流閉環(huán)控制的恒流和電壓控制的閉環(huán)的恒壓應(yīng)用。然而，目前恒流大部分恒壓晶閘管裝置和產(chǎn)品受傳感器和控制電路的限制，體積大、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、調(diào)試?yán)щy、控制精度低。而且……

電源模塊的關(guān)鍵絕緣材料 ??在功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展中，隨著集成度的提高和體積的縮小，單位散熱面積的功耗增加，散熱成為模塊制造中的關(guān)鍵問(wèn)題，但傳統(tǒng)的模塊結(jié)構(gòu)(焊接和壓接)已經(jīng)無(wú)法成功解決散熱問(wèn)題。因此，對(duì)散熱背板與芯片之間的導(dǎo)熱絕緣材料提出了新的要求。目前，國(guó)內(nèi)外電力電子行業(yè)使用的這類(lèi)材料一般為陶瓷-金屬?gòu)?fù)合板結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)……

晶閘管模塊系列產(chǎn)品解答 ??(1)交流模塊和變壓器的調(diào)壓功能有什么區(qū)別？ ??變壓器可以將負(fù)載與電網(wǎng)隔離，按照設(shè)定的變比傳輸?shù)攘康墓β剩唤涣髂K不與電網(wǎng)隔離，只調(diào)節(jié)電網(wǎng)電壓。其傳輸功率受電流限制，隨電壓降低而降低。 ??(2)模塊的抗干擾能力如何？ ??該模塊適用于電網(wǎng)波形的急劇失真，即使主電路在大電……

進(jìn)入2021年以來(lái)，新冠疫情持續(xù)性肆虐。但是，深圳市金航標(biāo)電子有限公司（www.bds666.com）在全體同仁的努力下，還是實(shí)現(xiàn)了業(yè)績(jī)翻倍的目標(biāo)。金航標(biāo)的兄弟公司薩科微半導(dǎo)體（baixing316.com.cn）有限公司，每個(gè)季度營(yíng)業(yè)額達(dá)到了百分之40的復(fù)合型增長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)始人宋仕強(qiáng)先生多年前規(guī)劃的金航標(biāo)和薩科微兩……

模塊保護(hù)-過(guò)流保護(hù) ??如果想獲得更安全的過(guò)流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先選擇內(nèi)置過(guò)流保護(hù)功能的模塊。此外，還可以使用外部快速保險(xiǎn)絲、快速過(guò)流繼電器和傳感器。快速熔斷是最簡(jiǎn)單也是最常用的方法，介紹如下： ??(1)接線方式： 快速熔斷器接至模塊交流輸入端。以三相整流模塊和單相交流模塊為例。 ??(2……

什么是 IGBT？ ?? IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極晶體管。 ??在功能上，IGBT是一個(gè)電路開(kāi)關(guān)，其優(yōu)點(diǎn)是電壓控制，低飽和壓降和高耐壓。用于電壓幾十到幾百伏，電流幾十到幾百安培的高壓。此外，IGBT由計(jì)算機(jī)控制，沒(méi)有機(jī)械……

IGBT模塊是如何進(jìn)行導(dǎo)通的？ ?? IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET非常相似。主要區(qū)別是IGBT增加了P襯底和N緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)不增加這部分)。一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)兩個(gè)雙極性器件。襯底的應(yīng)用在管的P和N區(qū)域之間產(chǎn)生了J1結(jié)。當(dāng)正柵極偏置使柵極下的P-基區(qū)反轉(zhuǎn)時(shí)，形成N溝道，同時(shí)出現(xiàn)電子電流，完全以功率MOSFET的方式產(chǎn)生電流。 ??如果這個(gè)電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V的范圍內(nèi)，那么J1會(huì)正向偏置，一些空穴會(huì)注入到N區(qū)，調(diào)整陽(yáng)極和陰極之間的電阻率，減少了功率傳導(dǎo)的總損

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)有哪些？ ?? IGBT和MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)是可靠的驅(qū)動(dòng)絕緣柵器件，目前已經(jīng)有很多成熟的電路。當(dāng)不需要將驅(qū)動(dòng)信號(hào)與功率器件隔離時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，目前有很多優(yōu)秀的驅(qū)動(dòng)集成電路。 ??1. 光耦合器隔離驅(qū)動(dòng)器 ?? 光耦合器的優(yōu)點(diǎn)是體積小，缺點(diǎn)是：a、反應(yīng)慢，所以延遲時(shí)間長(zhǎng)(高速光耦合器一般都在300ns以上)；光電耦合器的輸出級(jí)需要隔離的輔助電源。 ??2.無(wú)源變壓器驅(qū)動(dòng) ??用脈沖變壓器隔離驅(qū)動(dòng)絕緣柵功率器件有三種方式：無(wú)源、有源和自供電驅(qū)動(dòng)。

IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗和性能有什么關(guān)系？ ??在 IGBT的發(fā)展中，要求功率開(kāi)關(guān)器件減少損耗，提高效率，改善性能。開(kāi)關(guān)器件的損耗可以分為兩類(lèi)，一類(lèi)是導(dǎo)通狀態(tài)正常(on-state)的器件損耗；另一個(gè)是從導(dǎo)通狀態(tài)到關(guān)斷狀態(tài)(從關(guān)斷狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài))的開(kāi)關(guān)損耗。IGBT的主要技術(shù)特性是集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)特性和開(kāi)關(guān)特性tf(關(guān)斷時(shí)間toff和導(dǎo)通時(shí)間ton之和)。IGBT的擊穿性能取決于阻塞性能、短路性能、di/dt和dv/dt性能。 ??(1)改善開(kāi)關(guān)特性的技術(shù) ??為改善開(kāi)

IGBT電源模塊 ?? IGBT功率模塊是由絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組成的功率模塊。 ??由于IGBT模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)氧化膜與發(fā)射極電隔離，具有優(yōu)異的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。 ??IGBT是一種先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率為1-20khz，主要用于變頻器的主回路逆變器和所有逆變電路，即dc/ac轉(zhuǎn)換。例子包括電動(dòng)汽車(chē)、伺服控制器、ups、開(kāi)關(guān)電源、斬波電源、無(wú)軌電車(chē)等。至今已有十幾年的歷史，幾乎取代了其他所有功率器件，如scr.

隔離驅(qū)動(dòng)IGBT是什么功率器件？ 關(guān)于隔離驅(qū)動(dòng) IGBT功率器件，你了解多少呢？像IGBT這樣的功率器件，需要有充分的保護(hù)，避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過(guò)載，短路等造成的損害。那么隔離驅(qū)動(dòng)IGBT是什么功率器件呢？ ??1.有哪些故障保護(hù)功能？它們都集成在隔離驅(qū)動(dòng)器中嗎？ ??所有三種故……

使用 IGBT驅(qū)動(dòng)器需要注意什么？ ??近年來(lái)， IGBT這種新型的功率開(kāi)關(guān)器件逐漸被人們所認(rèn)識(shí)。與以往的電力電子器件相比，IGBT目前綜合性能優(yōu)勢(shì)明顯，越來(lái)越多地應(yīng)用于工作頻率在幾十千赫、輸出功率在幾千瓦至幾十千瓦的各種功率轉(zhuǎn)換器件。但是在IGBT的使用過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)了很多影響IGBT推廣使用的問(wèn)題，其中之一就是IG……