IGBT單管與 IGBT模塊的區(qū)別 ??IGBT模塊可以看作是IGBT單管的功能改進和升級。它們的應用領域基本相同。但是，由于集成了各種驅(qū)動和保護電路，IGBT模塊的安裝極大地方便了用戶。隨著新包裝技術的采用，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的應用領域。 ??IGBT電源模塊由IC、各種驅(qū)動保護電路、高性能IGBT芯片和新型封裝技術驅(qū)動，從復合電源模塊PIM發(fā)展到智能電源模塊IPM、電力電子積木PEBB、電源模塊IPEM。PIM正向高壓大電流方向發(fā)展，產(chǎn)品等級為1200—18

可控硅的基本工作原理及其在調(diào)光器中的應用 ??可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件，一般由兩個晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，而且是無觸點開關的快速接通或切斷，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，把一個頻率的交流電變成另一個頻率的交流電等等。 ……

為什么SiC器件不能取代 IGBT？ ??碳化硅(SiC)器件的生產(chǎn)工藝和技術日趨成熟，目前市場推廣的最大障礙是成本。包括研發(fā)和生產(chǎn)成本，以及應用中碳化硅器件替代 IGBT后，整個電路中驅(qū)動電容電阻的成本。除非廠家推，而且真的可以降低成本，提高性能。畢竟，采用新事物會花費很多。由于制造成本和產(chǎn)品良率的影響，目前阻礙S……

常用的 IGBT緩沖電路有哪些？ ??由于電力電子器件具有on、on、關斷和off四種工作狀態(tài)，因此off和on狀態(tài)分別承受高電壓和大電流，而在on和關斷，過程中，開關器件可能同時承受過壓和過流、過大的di/dt、du/dt和過大的瞬時功率。因此，為了防止器件由于高電壓和高電流而損壞，在電路中增加了緩沖電路。關斷緩沖……

如何用萬用表檢測 可控硅 ?? 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都有三個電極。單向可控硅整流器具有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅相當于兩個單可控硅反向并聯(lián)。即一個單向硅陽極與另一個陰極并排連接，其引出端稱為T2極，一個單向硅陰極與另一個陽極連接，其引出端稱為T2極，其余為控制電極(G)。 ……

半導體 三極管參數(shù)符號及其意義 ??如果共發(fā)射極電流放大系數(shù)β=IC/IB =100，集電極電流IC=β*IB=10mA。集電極負載電阻為500Ω時，電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的電壓降VCE=5V。如果在基極偏置電路中疊加一個交流小電流ib，集電極電路中就會出現(xiàn)相應的的交變電流……

模塊選型注意事項-導通角要求 ??模塊在較小導通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此，要求模塊應在較大導通角下(100度以上)工作……

可控硅擊穿的三個主要原因 ??1.過壓擊穿： ??過壓擊穿是 可控硅擊穿的主要原因之一?？煽毓鑾缀鯖]有時間承受過電壓，即使在幾毫秒內(nèi)，過電壓也會被擊穿。因此，在實際應用電路中，可控硅兩端必須連接RC 收回路，以避免各種不規(guī)則干擾脈沖引起的瞬時過電壓。如果晶閘管經(jīng)常發(fā)生故障，請檢查收回路的部件是否燒壞或失效。 ……

模塊保護-過熱保護 ??散熱狀況是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不僅可以保證模塊的可靠運行，防止模塊過熱燒毀，還可以提高模塊的電流輸出能力。 ??使用中，當散熱條件不滿足規(guī)定要求時，如房間溫超為40 ℃，強制風冷出口風速小于6m/s等。應立即降低模塊的額定電流，否則會因芯片結溫超的允許值過……

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模塊保護-過壓保護 ??晶閘管的過電壓能力極差。當元件的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，元件也會被反向擊穿損壞。如果直流電壓超過晶閘管的正向?qū)妷?，會導致晶閘管硬導通，不僅會使電路工作異常，而且在幾次硬導通后還會降低元件的正向?qū)妷?，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此，必須采取過電壓保護措施來抑制晶閘管……

恒流恒壓使用晶閘管控制模塊的技術解決方案 ??(1)關于模塊首次使用的常見問題 ??在使用該模塊之前，可以進行簡單的功能測試，可以測試恒流功能或恒壓功能，但選擇恒壓功能測試更方便。以下是關于首次使用的常見問題，可能對你有啟發(fā)。 ??調(diào)節(jié)給定信號時模塊無電流或電壓輸出，但給定信號和施加的12V電源正常。 ……