這是光耦合器的內部結構。在左側引腳1和引腳2上裸露，它是一個LED（發(fā)光二極管），LED向右側的光敏晶體管發(fā)射紅外光。

光電耦合器能夠在電路中起到代替繼電器、變壓器等器件的作用，而用于隔離電路、開關電路、數模轉換、邏輯電路、過流保護、長線傳輸、高壓控制及電平匹配等。

光電耦合器是以光為媒介傳輸電信號的一種電一光一電轉換器件。它由發(fā)光源和受光器兩部分組成。

常見的ESD模型有：人體模型(HBM)、機器模型(MM)、充電組件模型(CDM)、國際電子工業(yè)委員會標準(IEC)、傳輸線脈沖模型(TLP)、快速傳輸線脈沖模型(VF-TLP)、人體金屬放電模型(HMM)。

SiC及SiC在大功率充電樁應用的優(yōu)勢，以及基于SiC的25KW/30KW/50KW的參考設計，國產SiC廠商的情況

沒有EDA，就不可能設計和制造當今的半導體器件。

在電子電路和工業(yè)應用中，IGBT功率管被普遍應用，電磁爐中的開關管，變頻器中三相電機控制，程控電源，逆變器等。通過IGBT來控制大電流的快速開關實現不同的功能。本節(jié)來學習IGBT驅動芯片IR2104的使用。

每個芯片必須通過的 “封裝”工藝才能成為完美的半導體產品。封裝主要作用是電氣連接和保護半導體芯片免受元件影響。

利用聚焦電子束對某些高分子聚合物（電子束光刻膠）進行曝光并通過顯影獲得圖形的過程。產生聚焦電子束并讓聚焦電子束按照設定的圖形掃描的設備就叫做電子束光刻機。

二極管的種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）

GaN 半導體晶體材料的基本結構和性質，綜述了近年來采用 HVPE 法生長高質量 GaN 晶體的主要研究進展；對 GaN 的摻雜特性、摻雜劑類型、生長工藝以及摻雜原子對電學性能的影響進行了詳細 介紹

RISC-V（Reduced Instruction Set Computing Five）是一種基于精簡指令集計算機（RISC）原則的開源指令集架構（ISA）。RISC-V最初于2010年由加州大學伯克利分校的研究人員提出，并逐漸成為開源計算機架構中的一股強大力量。RISC-V架構的出現和發(fā)展，不僅推動了開源計算機架構的發(fā)展，也為智能汽車行業(yè)的未來發(fā)展提供了新的可能性和方向。上海交通大學深圳行業(yè)研究院首席科學家、院長助理蔣煒教授與兆芯微電子公司總經理歐沅昊針對RISC-V框架在智能汽車領域的運用進行探討